在两年前举行的“英特尔加速创新：流程与封装技术在线发布会”上，英特尔首席执行官帕特·基尔辛格(PatKilSinger)
GelSinger)雄心勃勃地公布了最新的流程路线图，力争在四年内通过五个流程节点，即英特尔7、英特尔4、英特尔3和英特尔。
20A和英特尔18A，目标半导体制造工艺到2025年可以赶上台积电，同时专注于“IDM”
2.0“战略，打造世界一流的英特尔代工服务(IFS)。
英特尔在过去两年中多次表示，先进工艺开发进展顺利。今年3月，英特尔高级副总裁兼董事长王睿在接受媒体采访时表示，英特尔20A和英特尔
18A进程经受了考验，坚信到2025年将重回领先地位。然而，最近有分析人士透露，高通可能已经停止设计基于英特尔20A工艺的芯片，这意味着英特尔
18A工艺的研发和量产将面临更大的不确定性和风险。
如果消息属实，据信这将是对雄心勃勃的英特尔的严重打击。直到今年3月，英特尔才与ARM达成协议，允许芯片设计者基于英特尔
18A打造低功耗SoC的过程，首先关注的是移动设备，而高通恰恰是这一领域的领军企业。
根据英特尔的计划，它将在英特尔。
20A工艺节点首次引入RibbonFET和PowerVia突破性技术，从而开启了EMI时代。其中RibbonFET是一对全周向栅极晶体管(GateAll
ABOW)的实施将是英特尔自2011年推出FinFET以来的第一个新晶体管架构。这种技术加快了晶体管的开关速度，实现了与多鳍片结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独一无二的、也是业界第一个反向电力传输网络，它通过消除对晶圆正面电源线的需求来优化信号传输。
日前，英特尔还发布了一篇PowerVia技术的特别介绍。英特尔表示，应用新技术后，芯片制造更像是三明治，首先制造晶体管，然后增加互连层，然后翻转和抛光晶片，将电源线连接到晶体管的底部。一方面，背向电源使得晶体管电源的路径非常直接，可以减少信号串扰，降低功耗，优化平台电压30%。另一方面，解决了晶体管尺寸不断缩小带来的互联瓶颈，实现了6%的频率增益和90%以上的标准单元利用率。此外，英特尔还开发了一种新的散热技术，它基于英特尔
4.经过充分验证的测试芯片经过反复调试，测试芯片表现出良好的散热性能，PowerVia可以达到相当高的成品率和可靠性指标。
