在加利福尼亚州圣何塞举行的年度存储技术大会上，三星发布了新一代HBM3E，在容量、频率和带宽方面都比现有的HBM3有了巨大的改进。
三星HBM3E内存是使用基于EUV极端紫外线光刻的第四代10纳米工艺制造的，准确地说是14纳米。
单个芯片的容量可以达到24GB，8个芯片的堆叠是24GB，12个芯片的堆栈是36GB，是HBM3的一半。
等效频率可以达到9.8GHz，也提高了一半，领先于SKHynix的9GHz和美光的9.2GHz。单芯片带宽可达1-1.1225TB/S。
对于像NVIDIAH100这样的计算卡，6个HBM3E可以形成单卡216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/S。
在能效方面，三星声称将其能效提高10%，但显然会被频率提高25%所抵消。
鉴于三星刚刚量产HBM3，下一代HBM3E将在明年某个时候量产，可能要到明年年底才能出货。
正因为如此，下一代NVIDIA计算卡B100将独家使用SKHynix的HBM3E，至少首批三星不会迎头赶上。
