台积电将首次在2NM流程节点使用Gate-All-All
FETS(GAAFET)晶体管和氮气工艺还可以与Nanoflex技术配对，为芯片设计人员提供灵活的标准元件。与现有的N3E工艺相比，预计在相同的功率下，N2工艺的性能将提升10%至15%，或者在相同的频率下，功耗将降低25%至30%，晶体管密度将提高15%。
据相关媒体报道，台积电每片300mm2NM晶圆的价格可能超过3万美元，高于此前预期的2.5万美元。相比之下，目前3nm晶圆的价格约为18,500美元至20,000美元，而4/5nm晶圆的价格在15,000美元至16,000美元之间。无论如何，可以预见的是，2纳米晶圆的价格将大幅提升。值得注意的是，台积电的订单报价包含很多因素，与特定客户和订单量有关。一些客户可能会有一些折扣。3万美元是一个相对粗略的数字。
为应对市场对2NM制程技术的旺盛需求，台积电持续投入这一制程节点。2纳米晶圆厂将位于台湾中国北部(新竹宝山)、中部(台中中科)和南部(高雄南子)。新工艺将增加EUV光刻步骤，甚至可能使用双曝光，这无疑会比3nm工艺节点的成本更高。
台积电计划在2025年下半年进入氮气工艺的量产阶段。客户最早将于2026年收到第一批使用氮气工艺制造的芯片。预计第一个客户将是苹果。
